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InGaAs和Ge紅外探測(cè)器的差異

InGaAs和Ge光電二極管探測(cè)器都普遍應(yīng)用于紅外（近紅外）波段。Newport提供各種可溯源NIST的InGaAs和Ge探測(cè)器（例如：低功率校準(zhǔn)光電二極管探測(cè)器918D和818系列）。這些探測(cè)器的參數(shù)很相近，除了一些關(guān)鍵部分：如分流電阻和芯片電容。然而，這些差異導(dǎo)致了很大的性能和價(jià)格差異。

分流電阻

分流電阻hao是無(wú)限大，但是每個(gè)光電二極管有一個(gè)有限值，產(chǎn)生Johnson噪聲，這個(gè)Johnson噪聲跟分流電阻成反比。因此，為了小化噪聲，需要在測(cè)量系統(tǒng)中設(shè)計(jì)大可能的電阻值。Ge和InGaAs有所不同，InGaAs探測(cè)器的分流電阻達(dá)到10M?量級(jí)，而Ge探測(cè)器的分流電阻在k?量級(jí)，小了若干個(gè)量級(jí)。因此，Ge探測(cè)器會(huì)比InGaAs探測(cè)器呈現(xiàn)出更高的噪聲。

有效面積越大越好？

有些廠商的Ge探測(cè)器有效面積很大，但用戶們需注意，更大的有效面積會(huì)導(dǎo)致更大的暗電流和更小的分流電阻，越小的分流電阻會(huì)引起更高的熱噪聲，越大的暗電流會(huì)引起更高的散粒噪聲。Ge的暗電流比InGaAs的暗電流高很多，大的有效面積可能引入高噪聲電流。Newport的Ge探測(cè)器的有效面積為3mm，相比于5mm的二極管，如果其他都相同，3mm二極管的分流電阻值會(huì)大3倍，而暗電流則小3倍。

Newport 918D/818系列InGaAs和Ge探測(cè)器的參數(shù)對(duì)比

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